1.

国際会議録
国際会議録
1. In-situ Rapid Thermal N20 Oxidation of NH3-Nitrided Si for Ultrathin Nitride/Oxide Stack Gate Formation
Kim, Y.H. ; Song, S.C. ; Luan, H.F. ; Gelpey, J.C. ; Kepton, A. ; Levy, S. ; Bloom, R. ; Kwong, D.-L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies : proceedings of the international symposium.  pp.239-246,  2000.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-9
2.

国際会議録
国際会議録
2. Recent Developments in Ultratlsin Nitride Gate Stack Prepared by In-Situ RTP Multiprocessing for CMOS ULSI
Song, S.C. ; Kini, B.Y. ; Loan, H.F. ; Kwong, D.-L. ; Gardner, M. ; Fulford, J. ; Wristers, D. ; Gelpey, J. ; Marcus, S.
出版情報: Advances in rapid thermal processing : proceedings of the symposium.  pp.45-56,  1999.  Pennington, N. J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-10
3.

国際会議録
国際会議録
3. Comparison of MOSFET Characteristics Between ALD and MOCVD TiN Metal Gate on Hf Silicate
Song, S.C. ; Lee, B.H. ; Zhang, Z. ; Choi, K. ; Bae, S.H. ; Alshareef, H. ; Majhi, P. ; Wen, H.C. ; Bennett, J. ; Sassman, B. ; Zeitzoff, P.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.419-424,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-06
4.

国際会議録
国際会議録
4. Recent Development of CMOS Technology with Hf-Based High-k Dielectric
Song, S.C. ; Bersuker, G. ; Zhang, Z. ; Lee, B.H. ; Huffman, C. ; Bae, S.H. ; Sim, J.H. ; Kirsch, P. ; Majhi, P. ; Moumen, N, ; Ramiller, C.
出版情報: Silicon nitride, silicon dioxide thin insulating films, and other emerging dieletrics VIII : proceedings of the international symposium.  pp.456-470,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-01