1.

国際会議録
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1. TEM CHARACTERIZATION OF DISLOCATIONS IN GaAs-On-Si HETEROSTRUCTURES WITH SUPERLATTICE INTERMEDIATE LAYERS
Soga, T. ; Nishikawa, H.
出版情報: Epitaxial heterostructures : symposium held April 16-19, 1990, San Francisco, California, U.S.A..  pp.201-206,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 198
2.

国際会議録
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2. ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF SQW LASERS ON Si GROWN WITH AlGaAs/AlGaP INTERMEDIATE LAYERS BY MOCVD
Egawa, T. ; Hayashi, H. ; George, T. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Materials for optical information processing : symposium held May 1-3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.189-194,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 228
3.

国際会議録
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3. INITIAL STAGE OF HETEROEPITAXIAL GROWTH OF COMPOUND SEMICONDUCTOR ON Si SUBSTRATE
Soga, T. ; George, T. ; Suzuki, T. ; Jimbo. T. ; Umeno, M.
出版情報: Heteroepitaxy of dissimilar materials : symposium held April 29-May 2, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.155-160,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 221
4.

国際会議録
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4. CORRELATIONS BETWEEN CRYSTALLINITY AND SCHOTTKY DIODE CHARACTERISTICS OF GaAs GROWN ON Si BY MOCVD
Egawa, T. ; Nozaki, S. ; Noto, N. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.273-278,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
5.

国際会議録
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5. HIGH QUALITY GaP GROWTH ON Si SUBSTRATES BY MOCVD
Uchida, K. ; Kohama, Y. ; Tajima, M. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon : fundamentals, structure, and devices : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.319-324,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 116
6.

国際会議録
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6. Towards High Efficiency Solar to Electrical Energy Conversion Efficiencies: Multiple Bandgap Photoelectrochemical Solar Cells
Licht, S. ; Ramakrishnan, P.A. ; Khaselev, O. ; Soga, T. ; Umeno, M.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Photoelectrochemistry.  pp.358-367,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-20
7.

国際会議録
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7. Passivation of Defects in GaAs Grown on Low-Cost Substrate for Device Application
Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Proceedings of the Eleventh International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices : (December 11-15, 2001).  VOL-2  pp.996-1001,  2002.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4746
8.

国際会議録
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8. EVALUATION OF ANTI-PHASE BOUNDARIES IN GaAs/Si HEREROSTRUCTURES BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
Ueda, O. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.267-272,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
9.

国際会議録
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9. GROWTH OF GaAs ON Si USING A1GaP INTERMEDIATE LAYER
Noto, N. ; Nozaki, S. ; Egawa, T. ; Soga, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.247-252,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
10.

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10. HETEROEPITAXY OF GaAs ON Si BY MOCVD
Soga, T. ; Imori, T. ; Umeno, M.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon II : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.69-72,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 91