1.

国際会議録
国際会議録
1. Theoretical and Experimental Study of the Lattice-Dynamical Properties of Cubic GaN
Stemer,H. ; Schewiola,A. ; Karch,K. ; Pavone,P. ; Strauch,D. ; Siegle,H. ; Kaczmarczyk,G. ; Filippidis,L. ; Thomsen,C.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.307-310,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
2.

国際会議録
国際会議録
2. Pressure-Dependent Dynamical and Dielectric Properties of GaN and AIN
Karch,K. ; Wagner,J.-M. ; Siegle,H. ; Thomsen,C. ; Bechstedt,F.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.303-306,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
3.

国際会議録
国際会議録
3. Local Vibrational Modes of 3d Elements in Wurtzite Type ZnO and GaN Crystals
Thurian,P. ; Kaczmarczyk,G. ; Siegle,H. ; Heitz,R. ; Hoffmann,A. ; Broser,I. ; Meyer,B.K. ; Hoffbauer,R. ; Scherz,U.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.1571-1576,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201