1.

国際会議録
国際会議録
1. Eptiaxial Growth of III-Nitride Layers on Aluminum Nitride Substrates
Schowalter, L. J. ; Shusterman, Y. ; Wang, R. ; Bhat, I. ; Arunmozhi, G. ; Slack, G. A.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.76.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electromigration in Epitaxial Copper Lines
Goindi, H.S. ; Shin, C.S. ; Frederick, M. ; Shusterman, Y. ; Kim, H. ; Petrov, I. ; Ramanath, G.
出版情報: Growth, evolution and properties of surfaces, thin films and self-organized structures : symposium held November 27-December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 648
3.

国際会議録
国際会議録
3. Preparation and characterization of single-crystal aluminum nitride substrates
Schowalter, L. J. ; Rojo, J. C. ; Yakolev, N. ; Shusterman, Y. ; Dovidenko, K. ; Wang, R. ; Bhat, I. ; Slack, G. A.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W6.7.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595