1.

国際会議録
国際会議録
1. Physics of GaN devices (Keynote Paper)
Shur, M. S.
出版情報: Noise in devices and circuits III : 24-26 May, 2005, Austin, Texas, USA.  pp.248-255,  2005.  Bellingham, Washington.  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5844
2.

国際会議録
国際会議録
2. 1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields
Rumyantsev, S. L. ; Shur, M. S. ; Knap, W. ; Dyakonova, N. ; Pascal, F. ; Hoffman, A. ; Ghuel, Y. ; Gaquiere, C. ; Theron, D.
出版情報: Noise in devices and circuits II : 26-28 May 2004, Maspalomas, Gran Canaria, Spain.  pp.277-285,  2004.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5470
3.

国際会議録
国際会議録
3. Electron transport in the III-V nitride alloys
Foutz, B. E. ; O'Leary, S. K. ; Shur, M. S. ; Eastman, L. F.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.445-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
4.

国際会議録
国際会議録
4. Physics of Below Threshold Current Distribution in a-Si:H TFTs
Slade, H. C. ; Shur, M. S. ; Deane, S. C. ; Hack, M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1996 : symposium held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.257-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 420
5.

国際会議録
国際会議録
5. Temperature and Frequency Dependent Characteristics of Amorphous Silicon Thin Film Transistors
Slade, H. C. ; Shur, M. S. ; Hack, M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1995 : Symposium held April 18-21, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.725-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 377
6.

国際会議録
国際会議録
6. GaN and Related Materials for High-Power Applications
Shur, M. S.
出版情報: Power semiconductor materials and devices : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.15-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 483
7.

国際会議録
国際会議録
7. Double-Channel AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor
Gaska, R. ; Shur, M. S. ; Yang, J. W. ; Fjeldly, T. A.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.9-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 512
8.

国際会議録
国際会議録
8. Analytical Theory of Electron Mobility and Drift Velocity in GaN
Gelmont, B. L. ; Shur, M. S. ; Stroscio, M.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.609-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
9.

国際会議録
国際会議録
9. Velocity Overshoot and Ballistic Electron Transport in Wurtzite Indium Nitride
Foutz, B. E. ; O'Leary, S. K. ; Shur, M. S. ; Eastman, L. F. ; Bhapkar, U. V.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.821-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
10.

国際会議録
国際会議録
10. The Velocity-Field Characteristic of Indium Nitride
O'Leary, S. K. ; Foutz, B. E. ; Shur, M. S. ; Eastman, L. F. ; Bhapkar, U. V.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.845-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482