1.

国際会議録
国際会議録
1. Epitaxial Growth of 4H-SiC (0001) by Sublimation Method Using Horizontal Furnace
Park, C.K. ; An, J.H. ; Lee, W.J. ; Shin, B.C. ; Nishino, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.267-270,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. High Quality SiC Crystals Grown by the Physical Vapor Transport Method with a New Crucible Design
Ku, K.R. ; Kim, J.G. ; Seo, J.D. ; Lee, J.Y. ; Kyun, M.O. ; Lee, W.J. ; Lee, G.H. ; Kim, I.S. ; Shin, B.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.83-86,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529