1.

国際会議録
国際会議録
1. DEGRADATION OF TiSi2/n+-POLYSILICON INTERFACES DUE TO HIGH TEMPERATURE PROCESSING
Shenai, K. ; Piacente, P. A. ; Smith, G. A. ; Lewis, N. ; McConnell, M . D. ; Norton, J. F. ; Hall, E. L. ; Baliga, B. J.
出版情報: Polysilicon films and interfaces : symposium held December 1-3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.149-154,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 106
2.

国際会議録
国際会議録
2. ON THE ADHESION OF LPCVD WSi2 TO DOPED AND UNDOPED POLYSILICON
Shenai, K. ; Piacente, P.A. ; Lewis, N. ; McConnell, M.D. ; Smith, G.A. ; Baliga, B.J.
出版情報: Adhesion in solids : symposium held April 5-7, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.177-184,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 119
3.

国際会議録
国際会議録
3. THE EFFECT OF DOPING ON THE GRAIN STRUCTURE OF AS-DEPOSITED AND HIGH-TEMPERATURE ANNEALED LPCVD WSi2 FILMS ON POLYSILICON
Lewis, N. ; Shenai, K. ; Smith, G.A. ; Piacente, P.A. ; Baliga, B.J.
出版情報: Characterization of the structure and chemistry of defects in materials : symposium held November 28-December 3, 1988, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.421-426,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 138
4.

国際会議録
国際会議録
4. EFFECT OF ION BOMBARDMENT ON THE DOPANT DIFFUSION DURING REACTIVE ION ETCHING (RIE) OF DIELECTRIC FILMS DEPOSITED ON SILICON
Shenai, K. ; Lewis, N. ; Smith, G.A. ; Baliga, B.J.
出版情報: Processing and characterization of materials using ion beams : symposium held November 28-December 2, 1988, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.731-736,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 128
5.

国際会議録
国際会議録
5. ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF TiSi2/n+-POLYSILICON/ Si02/Si MOS CAPACITORS STRESSED UNDER HIGH TEMPERATURE SILICIDE PROCESSING CONDITIONS
Shenai, K. ; Piacente, P. A. ; Baliga, B. J.
出版情報: SiO[2] and its interfaces : symposium held November 30-December 5, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.295-300,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 105
6.

国際会議録
国際会議録
6. CHARACTERIZATION AND PHYSICS OF THRESHOLD VOLTAGE DEPENDENCE ON DEFECT RELATED PROPERTIES OF CHANNEL-BUFFER (SUBSTRATE) INTERFACES IN GaAs MESFET’s FABRICATED BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
Shenai, K.
出版情報: Epitaxy of semiconductor layered structures : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.191-196,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 102
7.

国際会議録
国際会議録
7. Material Properties of GaN in the Context of Electron Devices
Morkoc, H. ; Cingolani, R. ; Lambrecht, W. ; Gil, B. ; Jiang, H-X. ; Lin, J. ; Pavlidis, D. ; Shenai, K.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G1.2.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
8.

国際会議録
国際会議録
8. Defect Modeling and Simulation of 4H-SiC P-N Diode
Keskar, N. ; Shenai, K. ; Neudeck, P.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1351-1354,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Transient Characterization of SiC P-N Diode
Keskar, N. ; Shenai, K. ; Neudeck, P. G.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1343-1346,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)