1.

国際会議録
国際会議録
1. Doping Behaviour of In0.53Ga0.47As and InP Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
Arora,B.M. ; Gokhale,M. ; Shah,A. ; Das,M.B.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 1  pp.289-292,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
2.

国際会議録
国際会議録
2. InGaP/GaAs Material System - Problem of Interfaces MOVPE Synthesis and Characterization
Arora,B.M. ; Sharma,T.K. ; Chandrasekaran,K.S. ; Gokhale,M. ; Shah,A.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 1  pp.205-212,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316