1.

国際会議録
国際会議録
1. Mechanism for Radiative Recombination in In0.15Ga0.85N/GaN Multiple Quantum Well Structures
Monemar, B. ; Bergman, J. P. ; Dalfors, J. ; Pozina, G. ; Sernelius, B. E. ; Holtz, P. O. ; Amano, H. ; Akasaki, I.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G2.5.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
2.

国際会議録
国際会議録
2. Evidence of Potential Fluctuations in Modulation-Doped GaN/AlGaN Heterostructures
Buyanov, A. V. ; Sandberg, J. ; Bergman, J. P. ; Sernelius, B. E. ; Holtz, P-O. ; Monemar, B. ; Amano, H. ; Akasaki, I.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.585-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
3.

国際会議録
国際会議録
3. Radiative Recombination in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
Bergman, J. P. ; Monemar, B. ; Pozina, G. ; Sernelius, B. E. ; Holtz, P. O. ; Amano, H. ; Akasaki, I.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1571-1574,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)