1.

国際会議録
国際会議録
1. STUDIES OF In0.53Ga0.47As/InP SUPERLATTICES MIXING AND CONVERSION
Schwarz, S. A. ; Mei, P. ; Hwang, D. M. ; Schwartz, C. L. ; Venkatesan, T. ; Palmstrom, c. J. ; Stoffel, N. G. ; Bhat, R.
出版情報: Advances in materials, processing, and devices in III-V compound semiconductors.  pp.233-238,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 144
2.

国際会議録
国際会議録
2. *GROWTH AND PROPERTIES OF (A1,Ga)As(NiA1/ (A1,Ga) As: AN EPITAXICAL SEMICONDUCTOR/METAL/SEMICONDUCTOR SYSTEM
Sands, T. ; Harbison, J. P. ; Tabatabaie, N. ; Cha, W. K. ; Gilchrist, H. L. ; Schwwarz, S. A. ; Schwartz, C. L. ; Florez, L. T. ; Keramida, V. G.
出版情報: Advances in materials, processing, and devices in III-V compound semiconductors.  pp.571-582,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 144
3.

国際会議録
国際会議録
3. OHMIC CONTACT FORMATION MECHANISM IN THE Ge/Pd/N-GaAs SYSTEM
Marshall, E. D. ; Lau, S. S. ; Palmstrom, C. J. ; Sands, Timothy ; Schwartz, C. L. ; Schwarz, S. A. ; Harbison, J. P. ; Florez, L. T.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.163-168,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
4.

国際会議録
国際会議録
4. STRESS DEPENDENT ELECTRICAL ACTIVATION OF IMPLANTED Si IN GaAs - A FOUR POINT BENDING STUDY
Huang, J. G. ; Jaccobine, R. J. ; Huang, J. H. ; Schwarz, S. A. ; Schwartz, C. L. ; Bhat, R.
出版情報: Mechanical behavior of materials and structures in microelectronics : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.157-164,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 226