1.

国際会議録
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1. INVITED: GETTERING EFFICIENCIES AND THEIR DEPENDENCE ON MATERIAL PARAMETERS AND THERMAL PROCESS: HOW CAN THIS BE MODELED?
HoeIzl, R. ; Blietz, M. ; Fabry, L. ; Schmolke, R.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.608-625,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
2.

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2. Inspection of silicon wafer backsurfaces
Schmolke, R. ; Passek, F. ; Gerber, H.-A. ; Lambert, U. ; Puppe, G. ; Piontek, H. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.448-457,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
3.

国際会議録
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3. Discrimination of defects on epitaxial silicon wafers
Passek, F. ; Schmolke, R. ; Lambert, U. ; Puppe, G. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.438-447,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
4.

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4. Advanced Silicon Wafers for 0.18 μm Design Rule and Beyond: Epi and fFLASH!*
Schmolke, R. ; Blietz, M. ; Schauer, R. ; Zemke, D. ; Oelkrug, H. ; Ammon, W.v. ; Lambert, U. ; Grtlf, D.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.3-18,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
5.

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5. The Impact of Crystal Quality by Delineation of COP and the Impact on the Silicon Wafer Surface
Graef, D. ; Suhren, M. ; Lambert, U. ; Schmolke, R. ; Ehiert, A. ; Ammon, W.v. ; Wagner, P.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.117-131,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
6.

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6. 300 mm Epi PP Wafer: Is There Sufficient Gettering?
Graff, D. ; Lambert, U. ; Schmolke, R. ; Wablich, R. ; Siebert, W. ; Daub, E. ; Ammon, W.v.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.319-330,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
7.

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7. DEFECT DEPTH PROFILE IN Si(IOO) P/P- EPITAXIAL WAFERS
Schmolke, R. ; Feijo, D. ; Ostermeir, R. ; Schauer, R. ; Furukawa, S. ; Graef, D.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.855-868,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(1)
8.

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8. Crystal Related Surface Defects: Review, Progress and Outlook
Schmolke, R. ; Orlif, D.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.386-400,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
9.

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9. Impact of Chemical and Epitaxial Treatment on Surface Defects on Silicon Wafers
Schmolke, R. ; Graf, D. ; Suhren, M. ; Kirchner, R. ; Piontek, H. ; Wagner, P.
出版情報: Defects in electronic materials II : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.137-,  1997.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 442
10.

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10. INVITED: GETTERING EFFICIENCIES AND THEIR DEPENDENCE ON MATERIAL PARAMETERS AND THERMAL PROCESS: HOW CAN THIS BE MODELED?
HoeIzl, R. ; Blietz, M. ; Fabry, L. ; Schmolke, R.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.608-625,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2