1.

国際会議録
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1. SIMULATION OF THE POINT DEFECT DIFFUSIONAND GROWTH CONDITION FOR DEFECT FREE CZ SILICON CRYSTAL
Nakamura, K. ; Saishoji, T. ; Tomioka, J.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.554-566,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
2.

国際会議録
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2. Diffusion Model of Point Defects in Silicon Crystals During Melt-Growth
Nakamura, K. ; Saishoji, T. ; Tomioka, J.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.41-54,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
3.

国際会議録
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3. Formation Behaviour of Grown-in Defects in Silicon During Czochralski Crystal Growth
Saishoji, T. ; Nakamura, K. ; Nakajima, H. ; Yokoyama, T. ; Ishikawa, F. ; Tomioka, J.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.28-40,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
4.

国際会議録
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4. The Dissolution Behavior of the Void Defects by Hydrogen Annealing in Czochralski Grown Silicon Crystals
Nakamura, K. ; Saishoji, T. ; Tomioka, T. ; Katayama, T.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.468-478,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
5.

国際会議録
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5. The Formation Mechanism of Coupled Voids in Czochralski Silicon
Ishikawa, F. ; Sadohara, S. ; Saishoji, T. ; Nakamura, K. ; Tomioka, J.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.86-96,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
6.

国際会議録
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6. Development of Tubular Type SOFC
Hisatome, N. ; Nagata, K. ; Saishoji, T. ; Kakigami, S.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells (SOFC-IV).  pp.216-220,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-1
7.

国際会議録
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7. Effect of Shape of Crystal-Melt Interface on Point Defect Reaction in Silicon Crystals
Nakamura, K. ; Maeda, S. ; Togawa, S. ; Saishoji, T. ; Tomioka, J.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.31-43,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
8.

国際会議録
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8. Formation Mechanism of Voids and Oxide Precipitates in Silicon Crystals（Invited Paper）
Nakamura, A. ; Saishoji, T. ; Tomioka, T.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.237-253,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
9.

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9. SIMULATION OF THE POINT DEFECT DIFFUSIONAND GROWTH CONDITION FOR DEFECT FREE CZ SILICON CRYSTAL
Nakamura, K. ; Saishoji, T. ; Tomioka, J.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.554-566,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
10.

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10. Observation of Ring-OSF Nuclei in As-Grown CZ Silicon Crystals by Highly Selective Reactive Ion Etching
Nakashima, K. ; Nakamura, K. ; Saishoji, T. ; Watanabe, Y. ; Mitsushima, Y. ; Inone, N.
出版情報: High purity silicon VII : proceedings of the international symposium.  pp.82-90,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-20