1.

国際会議録
国際会議録
1. Mobility Modeling in Advanced MOSFETs with Ultra-Thin Silicon Body under Stress
V. Sverdlov ; S. Selberherr
出版情報: Microelectonics Technology and Devices - SBMicro 2008.  pp.159-168,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 14(1)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Analysis of Electromigration in Dual-Damascene Interconnect Structures
R. Lacerda de Orio ; S. Carniello ; H. Ceric ; S. Selberherr
出版情報: Microelectonics Technology and Devices - SBMicro 2008.  pp.337-348,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 14(1)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Efficient Calculation of Lifetime Based Direct Turmeling Through Stacked Dielectrics
H. Karner ; A. Gehring ; S. Holzer ; H. Kosina ; S. Selberherr
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.693-704,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Analysis of Hole Transport in Arbitrarily Strained Germanium
G. Karlowatz ; E. Ungersboeck ; H. Kosina ; W. Wessner ; S. Selberherr
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.443-450,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
5.

国際会議録
国際会議録
5. A Study of Boron Implantation into High Ge Content SiGe Alloys
R. Wittmann ; S. Uppal ; A. Hoessinger ; J. Cervenka ; S. Selberherr
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.667-676,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Three-Dimensional Simulation of Thermal Oxidation and the Influence of Stress
C. Hollauer ; H. Ceric ; S. Selberherr
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.103-114,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Low-Field Electron Mobility in Stressed UTB SOI MOSFETs for Different Substrate Orientations
E. Ungersboeck ; V. Sverdlov ; H. Kosina ; S. Selberherr
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.45-54,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Numerical Analysis of Gate Stacks
M. Karner ; S. Holzer ; W. Goes ; M. Vasicek ; M. Wagner ; H. Kosina ; S. Selberherr
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.299-308,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Electromigration Modeling for Interconnect Structures in Microelectronics
H. Ceric ; S. Selberherr
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.295-304,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
10.

国際会議録
国際会議録
10. Three-dimensional simulation of sacrificial etching
J. Cervenka ; H. Ceric ; S. Selberherr
出版情報: Smart sensors, actuators, and MEMS III : 2-4 May 2007, Maspalomas, Gran Canaria, Spain.  2007.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society of Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 6589