1.

国際会議録
国際会議録
1. Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels
S. Takagi ; T. Irisawa ; T. Tezuka ; S. Nakaharai ; T. Numata
出版情報: ULSI process integration 5.  pp.61-74,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(6)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Prospects and Critical Issues on Ge MOS Technologies
S. Takagi ; N. Taoka ; S. Nakaharai ; K. Ikeda ; T. Tezuka
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.823-829,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Study of the Surface Cleaning of GOI and SGOI Substrates for Ge Epitaxial Growth
Y. Moriyama ; N. Hirashita ; E. Toyoda ; K. Usuda ; S. Nakaharai
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.1183-1190,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)