1.

国際会議録
国際会議録
1. The Influence of Defects and Impurities on Electrical Properties of High-k Dielectrics
J. Dabrowski ; S. Miyazaki ; S. Inumiya ; G. Kozlowski ; G. Lippert
出版情報: Advances in electronic materials : special topic volume with invited papers only.  pp.55-110,  2009.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 608
2.

国際会議録
国際会議録
2. HfSiON Gate Dielectrics for hp45 Node and Beyond
Y. Nara ; S. Inumiya ; K. Torii ; K. Nakamura
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.645-652,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-κ Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams
A. Uedono ; R. Hasunuma ; K. Shiraishi ; K. Yamabe ; S. Inumiya
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.81-90,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Improvement in NBTI of Metal Gate pMOSFETs with Sub-1nm EOT HfSiON Gate Dielectric by Ar/N₂/H₂(D₂) Plasma Nitridation
S. Inumiya ; T. Aoyama ; Y. Nara
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.225-232,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)
S. Miyazaki ; A. Ohta ; S. Inumiya ; Y. Nara ; K. Yamada
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.171-182,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Novel Fabrication Process to Realize Ultra-Thin (EOT=0.7nm) and Ultra-Low Leakage SiON Gate Dielectrics
K. Muraoka ; D. Matsushita ; K. Kato ; Y. Nakasaki ; S. Inumiya ; K. Eguchi ; M. Takayanagi
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.51-60,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Extensive Studies for Effects of Nitrogen Incorporation into Hf-Based High-k Gate Dielectrics
N. Umezawa ; K. Shiraishi ; H. Watanabe ; K. Toni ; Y. Akasaka ; S. Inumiya ; M. Boero ; A. Uedono ; S. Miyazaki ; T. Ohno ; T. Chikyow ; K. Yamabe ; Y. Nara ; K. Yamada
出版情報: Dielectrics for nanosystems II: materials science, processing, reliability, and manufacturing.  pp.63-78,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(1)
8.

国際会議録
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8. High-Mobility and Low-Vth Metal Gate CMOSFETs with Ultra-Thin HfSiON Gate Dielectrics Using TaSiN/TaSix Stacked Electrode and Selective Substrate Fluorine Implantation
S. Inumiya ; T. Matsuki ; T. Aoyama ; Y. Nara
出版情報: Silicon nitride, silicon dioxide, and emerging dielectrics 9.  pp.621-636,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(3)