1.

国際会議録
国際会議録
1. Influence of an In-Situ Formed Interfacial SINx Layer on the Electrical Performance and Thermal Stability of High-k HfO₂ Films
S. H. Hong ; J. Kim ; T. Park ; J. Won ; R. Jung ; S. Kim ; C. Hwang ; M. J. Cho
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.257-268,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
2.

国際会議録
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2. Improvement in Thermal Stability of MOCVD HfO₂ Films Using an ALD SiNx Interfacial Layer
H. J. Jang ; S. H. Hong ; T. Park ; J. Heo ; S. Yang ; M. Kim ; C. Hwang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.393-398,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
3.

国際会議録
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3. Influence of Deposition Temperature of Atomic-Layer-Deposited HfO₂ Films on Interfacial Chemical Structure and Interface Trap Density
J. Kim ; T. Park ; C. Hwang ; S. H. Hong ; M. Seo
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.419-424,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
4.

国際会議録
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4. Electrical and Structural Properties of High-K HfO₂ on Si₁₋x Gex Substrates
C. Hwang ; T. Park ; J. Kim ; S. H. Hong ; M. Seo ; J. H. Jang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.3-8,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)