1.

国際会議録
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1. Application of Thermal Shields in the Floating Zone (FZ) Growth of Silicon
Ludge, A. ; Schilling, H. ; Rieman, H. ; Rost, H.-J. ; Boettcher, K. ; Schleusener, B. ; Hensel, W.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.41-48,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
2.

国際会議録
国際会議録
2. Melting Behavior of As-Deposited Silicon Ingots During the Floating Zone Single Crystal Growth
Rost, H.-J. ; Rieman, H. ; Luedge, A. ; Boettcher, K. ; Dawson, H.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.33-40,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
3.

国際会議録
国際会議録
3. Investigation of Silicon Carbide Physical Vapor Transport Growth on the C-Terminated Face of 6H Seeds
Schulz, D. ; Doerschel, J. ; Irmscher, K. ; Rost, H.-J. ; Siche, D. ; Wollweber, J.
出版情報: Silicon carbide--materials, processing and devices : symposium held November 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 640
4.

国際会議録
国際会議録
4. Model for Macroscopic Slits in 6H- and 4H-SiC Single Crystals
Wollweber, J. ; Rost, H.-J. ; Schulz, D. ; Siche, D.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.63-66,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
5.

国際会議録
国際会議録
5. Macrodefect Generation in SiC Single Crystals Caused by Polytype Changes
Rost, H.-J. ; Doerschel, J. ; Schulz, D. ; Siche, D. ; Wollweber, J.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.67-70,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
6.

国際会議録
国際会議録
6. Properties of Nitrogen-Doped 4H-SiC Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport
Rost, H.-J. ; Irmscher, K. ; Doerschel, J. ; Siche, D. ; Schulz, D. ; Wollweber, J.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.91-94,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
7.

国際会議録
国際会議録
7. Growth Related Distribution of Secondary Phase Inclusions in 6H-SiC Single Crystals
Rost, H.-J. ; Dolle, J. ; Doerschel, J. ; Siche, D. ; Schulz, D. ; Wollweber, J.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.29-32,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
8.

国際会議録
国際会議録
8. Macrodefect Generation in SiC Single Crystals Caused by Polytype Changes
Rost, H.-J. ; Doerschel, J. ; Schulz, D. ; Siche, D. ; Wollweber, J.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.67-70,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
9.

国際会議録
国際会議録
9. Model for Macroscopic Slits in 6H- and 4H-SiC Single Crystals
Wollweber, J. ; Rost, H.-J. ; Schulz, D. ; Siche, D.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.63-66,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
10.

国際会議録
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10. On the Early Stages of Sublimation Growth of 4H-SiC Using 8° Off-Oriented Substrates
Schulz, D. ; Lechner, M. ; Rost, H.-J. ; Siche, D. ; Wollweber, J.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.17-20,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436