1.

国際会議録
国際会議録
1. Optical Properties of Some GaAs-Based Quantum Structures with Excess Carriers
Holtz, P.O ; Wongmnerod, S. ; Sernelius, B. ; Pozina, G. ; Bergman, J.P. ; Madsen, L.D. ; McCaffrey, J.P. ; Reginski, K. ; bugajski, M. ; Godlewski, M. ; thordson, J. ; Andersson, T.G.
出版情報: Compound semiconductor power transistors and : State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXIX).  pp.145-156,  1998.  Pennington, N. J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-12
2.

国際会議録
国際会議録
2. Effect of High Temperature-Pressure on Strain Relaxation in Thin Layers of Semiconductors Epitaxially Grown on GaAs and Si Substrates
Bak-Misiuk, J. ; Misiuk, A. ; Adamczewska, J. ; Calamiotou, M. ; Kozanecki, A. ; Kuristyn, D. ; Reginski, K. ; Kaniewski, J. ; Georgakilas, A.
出版情報: Atomistic aspects of epitaxial growth.  pp.467-476,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 65