1.

国際会議録
国際会議録
1. Short Channel Effects and Subthreshold Operation in Single and Double Gate Deep Submicron SOT MOSFETs
Rauly, E ; Potavin, O ; Balestra, F ; Raynaud, C
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.266-271,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3
2.

国際会議録
国際会議録
2. Edge and Floating Body Effects on Hot-Carrier-Induced Degradation in FD SOT n-MOSFETs
Renn, S H ; Szelag, B ; Balestra, F ; Raynaud, C
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.276-281,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3