1.

国際会議録
国際会議録
1. Two-Dimensional Roughness Growth at Surface and Interface of SiO2 Films during Thermal Oxidation of 4H-SiC(0001)
R. Hasunuma ; T. Fukasawa ; R. Kosugi ; Y. Ishida ; K. Yamabe
出版情報: Silicon carbide and related materials 2011 : selected, peer reviewed papers from the 14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), September 11-16, 2011, Cleveland, Ohio, USA.  pp.785-788,  2012.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 717-720
2.

国際会議録
国際会議録
2. Morphological Change in Surface and Interface during Ultrathin SiO₂ Film Growth
R. Hasunuma ; J. Okamoto ; N. Tokuda ; K. Yamabe
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.255-266,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Tight Distribution of Dielectric Characteristics of HfSiON in Metal Gate Devices
R. Hasunuma ; T. Naito ; C. Tamura ; A. Uedono ; K. Shiraishi
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.3-11,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
4.

国際会議録
国際会議録
4. NF3 Added Oxidation of 4H-SiC(0001) and Suppression of Interface Degradation
R. Hasunuma ; M. Nagoshi ; K. Yamabe
出版情報: Silicon carbide and related materials 2013 : selected, peer reviewed papers from the 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan.  pp.619-622,  2014.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 778-780
5.

国際会議録
国際会議録
5. Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-κ Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams
A. Uedono ; R. Hasunuma ; K. Shiraishi ; K. Yamabe ; S. Inumiya
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.81-90,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)