1.

国際会議録
国際会議録
1. *SILICON CARBIDE: PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH
Powell, J. A.
出版情報: Novel refractory semiconductors : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.159-170,  1987.  Pittsburgh, Penn..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 97
2.

国際会議録
国際会議録
2. Step Structures Produced by Hydrogen Etching of Initially Step-Free (0001) 4H-SiC Mesas
Powell, J. A. ; Neudeek, P. G. ; Trunek, A. J. ; Abel, P. B.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.753-756,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
3.

国際会議録
国際会議録
3. THE "BUFFER" LAYER IN THE CVD GROWTH OF β-SIC ON (001) SILICON
Cheng, T. T. ; Pirouz, P. ; Powell, J. A.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.229-234,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
4.

国際会議録
国際会議録
4. CHARACTERIZATION OF DEFECT STRUCTURES IN LELY 6H-SiC SINGLE CRYSTALS USING SYNCHROTRON WHITE BEAM X-RAY TOPOGRAPHY
Huang, W. ; Wang, S. ; Dudley, M. ; Neudeck, P. ; Powell, J. A. ; Fazi, C.
出版情報: Applications of synchrotron radiation techniques to materials science II : symposium held November 27-December 2, 1994, Boston, Massachusetts, USA.  pp.313-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 375
5.

国際会議録
国際会議録
5. COMPUTER AIDED SYNCHROTRON WHITE BEAM X-RAY TOPOGRAPHIC ANALYSIS OF MULTIPOLYTYPE SiC DEVICE CONFIGURATIONS
Huang, W. ; Wang, S. ; Dudley, M. ; Neudeck, P. ; Powell, J. A. ; Fazi, C.
出版情報: Applications of synchrotron radiation techniques to materials science II : symposium held November 27-December 2, 1994, Boston, Massachusetts, USA.  pp.327-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 375
6.

国際会議録
国際会議録
6. LATTICE DEFECTS IN s-SIC GROWN EPITAXIALLY ON SILICON SUBSTRATES
Pirouz, P. ; Chorey, C. M. ; Cheng, T. T. ; Powell, J. A.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon II : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.399-404,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 91
7.

国際会議録
国際会議録
7. Synchrotron White Beam X-Ray Topography and Atomic Force Microscopy Studies of a 540R-SiC Lely Platelet
Vetter, W. M. ; Dudley, M. ; Huang, W. ; Neudeck, P. ; Powell, J. A.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.469-472,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Synchrotron White Beam Topography Studies of 2H SiC Crystals
Dudley, M. ; Huang, W. ; Vetter, W. M. ; Neudeck, P. ; Powell, J. A.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.465-468,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Defects in 4H Silicon Carbide CVD Epilayers
Zhou, L. ; Pirouz, P. ; Powell, J. A.
出版情報: Defects in electronic materials II : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.631-,  1997.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 442
10.

テクニカルペーパー
テクニカルペーパー
10. Effect of Tilt Angle on the Morphology of SiC Epitaxial Films Grown on Vicinal (0001) SiC Substrates
Powell, J. A. ; Larkin, D. J. ; Abel, P. B. ; Zhou, L. ; Pirouz, P.
出版情報: NASA Technical Reports.  19970020726  (NASA-TM-112470),  pp.1-6,  1996.  National Aeronautics and Space Adminstration