1.

国際会議録
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1. *INITIAL STAGES OF GROWTH OF ZnSe ON Si
Bringans, R.D. ; Biegelsen, D.K. ; Swartz, L.-E. ; Ponce, F.A. ; Tramontana, J.C.
出版情報: Wide band gap semiconductors : symposium held December 2-6, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.191-202,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 242
2.

国際会議録
国際会議録
2. DEFECT GENERATION AND SUPPRESSION DURING THE IMPURITY INDUCED LAYER DISORDERING OF QUANTUM SIZED GaAs/GaInP LAYERS
Thornton, R.L. ; Bour, D.P. ; Treat, D. ; Ponce, F.A. ; Tramontana, J.C. ; Endicott, F.J.
出版情報: Evolution of surface and thin film microstructure : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.445-448,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 280
3.

国際会議録
国際会議録
3. VERY THIN 2D GaAs FILMS ON Si DURING THE EARLY STAGES OF GROWTH BY MBE
Fenner, D.B. ; Biegelsen, D.K. ; Krusor, B.S. ; Ponce, F.A. ; Tramontana, J.C.
出版情報: Atomic scale structure of interfaces : symposium held November 27-29, 1989, Boston Massachusetts, U.S.A..  pp.15-20,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 159
4.

国際会議録
国際会議録
4. SILICON QUANTUM WIRES OXIDATION AND TRANSPORT STUDIES
Liu, H.I. ; Biegelsen, D.K. ; Johnson, N.M. ; Ponce, F.A. ; Maluf, N.I. ; Pease, R.F.W.
出版情報: Microcrystalline semiconductors : materials science & devices : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.57-64,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 283
5.

国際会議録
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5. Optical Properties of Thick InxGa1-xN Epilayers*
Srinivasan, S. ; Bertram, F. ; Bell, A. ; Ponce, F.A.
出版情報: State-of-the-art program on compound semiconductors XXXVI and wide bandgap semiconductors for photonic and electronic devices and sensors II : proceedings of the international symposia.  pp.134-140,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-3
6.

国際会議録
国際会議録
6. LASER INCORPORATION OF SILICON INTO GaAs-A1GaAs HETEROSTUCTURES
Epler, J.E. ; Ponce, F.A. ; Tramontana, J.C. ; Endicott, F.J. ; Paoli, T.L.
出版情報: Advanced surface processes for optoelectronics : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.77-82,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 126
7.

国際会議録
国際会議録
7. INITIAL STAGES OF EPITAXIAL GROWTH OF GaAS ON (100) SILICON
Biegelsen, D.K. ; Ponce, F.A. ; Smith, A.J. ; Tramontana, J.C.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon : symposium held April 16-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.45-52,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 67
8.

国際会議録
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8. LATTICE MISMATCH EFFECTS IN GaAs EPITAXY ON Si AND GaP
Gerthsen, D. ; Ponce, F.A. ; Anderson, G.B. ; Chung, H.F.
出版情報: Interfacial structure, properties, and design : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.21-26,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 122
9.

国際会議録
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9. EXCIMER LASER INDUCED CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON NEAR THRESHOLD
Bachrach, R.Z. ; Winer, K. ; Boyce, J.B. ; Ponce, F.A. ; Ready, S.E. ; Johnson, R. ; Anderson, G.B.
出版情報: Beam-solid interactions : physical phenomena : symposium held November 27-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.467-472,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 157
10.

国際会議録
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10. EPITAXIAL GROWTH OF FERROELECTRIC THIN FILMS ON GaAs WITH MgO BUFFER LAYRS BY PULSED LASER DEPOSITION
Nashimoto, K. ; Fork, D.K. ; Ponce, F.A. ; Geballe, T.H.
出版情報: Ferroelectric thin films II : symposium held December 2-4, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.495-500,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 243