1.

国際会議録
国際会議録
1. Gallium nitride T-ray transmission characteristics
Ferguson, B. ; Mickan, S.P. ; Hubbard, S. ; Pavlidis, D. ; Abbott, D.
出版情報: Electronics and structures for MEMS II : 17-19 December 2001, Adelaide, Australia.  pp.210-220,  2001.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 4591
2.

国際会議録
国際会議録
2. Nonlinear optical characterization of GaN layers grown by MOCVD on sapphire
Tiginyanu, I. M. ; Kravetsky, I. V. ; Pavlidis, D. ; Eisenbach, A. ; Hildebrandt, R. ; Marowsky, G. ; Hartnagel, H. L.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W11.52.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
3.

国際会議録
国際会議録
3. DEEP LEVEL CHARACTERIZATION OF LP-MOCVD GROWN Al0.48In0.52As
Ducroquet, F. ; Guillot, G. ; Hong, K. ; Hong, C. H. ; Pavlidis, D. ; Gauneau, M.
出版情報: Physics and applications of defects in advanced semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1993, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.235-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 325
4.

国際会議録
国際会議録
4. Photoluminescence Characteristics of GaN Layers Grown on SOI Substrates and Relation to Material Properties
Phillippe, A. ; Bru-Chevallier, C. ; Guillot, G. ; Cao, J. ; Pavlidis, D. ; Eisenbach, A.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.307-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
5.

国際会議録
国際会議録
5. Material Properties of GaN in the Context of Electron Devices
Morkoc, H. ; Cingolani, R. ; Lambrecht, W. ; Gil, B. ; Jiang, H-X. ; Lin, J. ; Pavlidis, D. ; Shenai, K.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G1.2.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
6.

国際会議録
国際会議録
6. Optimization of GaN Channel Conductivity in AlGaN/GaN HFET Structures Grown by MOVPE
Hubbard, S. M. ; Zhao, G. ; Pavlidis, D. ; Cho, E. ; Sutton, W.
出版情報: GaN, AIN, InN and their alloys : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.641-646,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 831