1.

国際会議録
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1. Potential of Improved Gain in Operational Transconductance Amplifier Using 0.5 um Graded-Channel SOI NMOSFET for Applications in the Gigahertz Range
Gimenez, S. P. ; Pavanello, M. A. ; Martino, J. A. ; Flandre, D.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2005 : proceedings of the twentieth international symposium.  pp.502-511,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-08
2.

国際会議録
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2. Implementation of Tunable Resistors Using Graded-Channel SOI MOSFETs Operating in Cryogenic Environments
Pavanello, M. A. ; Cerdeira, A. ; Martino, J. A. ; Alernan, M. A. ; Flandre, D.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2005 : proceedings of the twentieth international symposium.  pp.520-528,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-08
3.

国際会議録
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3. A Charge-Based Continuous Model for Small-Geometry Graded-Channel SOI MOSFETs
de Souza, M. ; Pavanello, M. A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2005 : proceedings of the twentieth international symposium.  pp.482-491,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-08
4.

国際会議録
国際会議録
4. Behavior of Graded Channel SOI Gate-All-Around NMOSFET Devices at High Temperatures
dos Santos, C. D. G. ; Pavanello, M. A. ; Martino, J. A. ; Flandre, D. ; Raskin, J.-P.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2004 : proceedings of the nineteenth international symposium.  pp.9-14,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-03
5.

国際会議録
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5. Comparison between Bulk and Floating Body Partially Depleted SOI NMOSFETs for High Frequency Analog Applications Operating from 300 K down to 95 K
Pavanello, M. A. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2005 : proceedings of the twentieth international symposium.  pp.464-471,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-08
6.

国際会議録
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6. Evaluation of the Channel Engineering Impact on the Analog Performance of Deep-Submicrometer Partially Depleted SOI MOSFETs at Low Temperatures
Pavanello, M. A. ; Martino, J. A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2004 : proceedings of the nineteenth international symposium.  pp.21-26,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-03
7.

国際会議録
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7. Analysis of Harmonic Distortion in Graded-Channel SOI MOSFETs at High Temperatures
Pavanello, M. A. ; Cerdeira, A. ; Martino, J. A. ; Aleman, M. A. ; Flandre, D.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2004 : proceedings of the nineteenth international symposium.  pp.39-44,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-03
8.

国際会議録
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8. Improved Current Mirror Performance Using Graded-Channel Silicon-On-Insulator Devices in High Temperature Operation
Ferreira, R. S. ; Pavanello, M. A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2004 : proceedings of the nineteenth international symposium.  pp.45-50,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-03
9.

国際会議録
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9. A Fully Analytical Continuous Model for Graded-Channel SOI MOSFET for Analog Applications
Souza, M. ; Pavanello, M. A. ; Iniguez, B. ; Flandre, D.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2004 : proceedings of the nineteenth international symposium.  pp.27-32,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-03