1.

国際会議録
国際会議録
1. Structure of Carrot Derects in 4H-SiC Epilayers
Zhang, X. ; Ha, S. ; Benamara, M. ; Skowronski, M. ; Sumakeris, J.J. ; Ryu, S. ; Paisley, M.J. ; O'Loughlin, M.J.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.327-332,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. STRUCTURAL DEFECTS IN GaN EPILAYERS GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY
Sitar, Z. ; Paisley, M.J. ; Yan, B. ; Davis, R.F.
出版情報: Diamond, silicon carbide, and related wide bandgap semiconductors : symposium held November 27-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.537-542,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 162
3.

国際会議録
国際会議録
3. SiC Warm-Wall Planetary VP E Growth on Multiple 100-mm Diameter Wafers
Burk, A.A. ; O'Loughlin, M.J. ; Paisley, M.J. ; Powell, A.R. ; Brady, M.F ; Leonard, R.T. ; McClure, D.A.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.159-162,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Techniques for Minimizing the Basal Plane Dislocation Density in SiC Epilayers to Reduce Vf Drift in SiC Bipolar Power Devices
Sumakeris, J.J. ; Bergman, J.P. ; Das, M.K. ; Hallin, C. ; Hull, B.A. ; Janzen, E. ; Lendenmann, H. ; O'Loughlin, M.J. ; Paisley, M.J. ; Ha, S. ; Skowronski, M. ; Palmour, J.W. ; Carter, C.H.,Jr
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.141-146,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
国際会議録
5. Status of 4H-SiC Substrate and Epitaxial Materials for Commercial Power Applications
Powell, A.R. ; Sumakeris, J.J. ; Leonard, R.T. ; Brady, M.F. ; Muller, St.G. ; Tsvetkov, V.F. ; Hobgood, H.McD. ; Burk, A.A. ; Paisley, M.J. ; Glass, R.C. ; Carter Jr., C.H.
出版情報: Silicon carbide 2004--materials, processing and devices : symposium held April 14-15, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.3-14,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 815
6.

国際会議録
国際会議録
6. Approaches to Stabilizing the Forward Voltage of Bipolar SiC Devices
Sumakeris, J.J. ; Das, M. ; Hobgood, H.McD. ; Mueller, S.G. ; Paisley, M.J. ; Ha, S. ; Skowronski, M. ; Palmour, J.W. ; Carter, C.H., Jr.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1113-1116,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
7.

国際会議録
国際会議録
7. High Power 4H-SiC PiN Diodes with Minimal Forward Voltage Drift
Das, M.K. ; Sumakeris, J.J. ; Paisley, M.J. ; Powell, A.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1105-1108,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460