1.

国際会議録
国際会議録
1. Hole Mobility in Si(110) p-MOS Transistors
P. Gaubert ; A. Teramoto ; T. Ohmi
出版情報: Solid State (General) - 214th ECS Meeting/PRiME 2008.  pp.7-12,  2009.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(40)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface
W. Cheng ; A. Teramoto ; C. Tye ; P. Gaubert ; M. Hirayama ; S. Sugawa ; T. Ohmi
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.101-106,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)