1.

国際会議録
国際会議録
1. Study of a 4 Micron Oxide Etching Using C5F8/O2/Ar Plasma
F. Judong ; L. Depoyan ; N. Hotellier ; M. Baudrier ; P. Bouillon
出版情報: Plasma and CVD Processes.  pp.13-21,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Chemical-Mechanical Planarization Compatible for Both Copper/Low k Level in a 90 nm Technology and Thick Copper Level in an RF Technology
Y. Loquet ; C. Perrot ; P. Bouillon ; B. Iteprat
出版情報: Chemical Mechanical Polishing 8.  pp.1-8,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(41)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Prospects for Complementary SiGeC BiCMOS on Thin-Film SOI
A. Chantre ; G. Avenier ; L. Boissonnet ; G. Borot ; P. Bouillon
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.355-363,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)