1.

国際会議録
国際会議録
1. Masking Process for High-Energy and High-Temperature Ion Implantation
Ohyanagi, T. ; Onose, H. ; Watanabe, A. ; Someya, T. ; Ohno, T. ; Amemiya, K. ; Kobayashi, Y.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.867-870,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
2.

国際会議録
国際会議録
2. Masking Process for High-Energy and High-Temperature Ion Implantation
Ohyanagi, T. ; Onose, H. ; Watanabe, A. ; Someya, T. ; Ohno, T. ; Amemiya, K. ; Kobayashi, Y.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.867-870,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
3.

国際会議録
国際会議録
3. Characterization of the Forward Conduction of 4H-SiC Planar Junction Diode
Ohyanagi, T. ; Ohno, T. ; Amemiya, K. ; Watanabe, A.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.835-838,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436