1.

国際会議録
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1. Enhanced Short-Channel Effects of Sub-50 nm Gate Length MOSFETs with High-k Gate Insulator Films
Fujimura, R. ; Takeda, M. ; Sato, K. ; Ohmi, S.-I. ; Ishiwara, H. ; Iwai, H.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.313-323,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-2
2.

国際会議録
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2. Ultra Shallow p +/n Junctions Fabricated by Plasma Doping and All Solid State Laser Annealing
Tsutsui, K. ; Sasaki, Y. ; Jin, C.-G. ; Tamura, H. ; Mizuno, B. ; Higaki, R. ; Soto, T. ; Majima, K. ; Ohmi, S.-I. ; Iwai, H.
出版情報: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices : proceedings of the international symposium.  pp.106-111,  2004.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-01
3.

国際会議録
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3. ULSI Process Integration for 2005 and beyond*
Iwai, H. ; Ohmi, S.-I.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.3-33,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-2
4.

国際会議録
国際会議録
4. Electrical Conduction Process in Lanthana Thin Films Prepared by E-Beam Evaporation
Kim, Y. ; Ohmi, S.-I. ; Tsutsui, K. ; Iwai, H.
出版情報: Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing : proceedings of the First international symposium.  pp.452-463,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-04
5.

国際会議録
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5. A Study of Aluminum Gate La2O3 nMISFET with Post Metallization Anneal
Ng, J. -A. ; Ohmi, S.-I. ; Tsutsui, K. ; Iwai, H.
出版情報: Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing : proceedings of the First international symposium.  pp.369-380,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-04