1.

国際会議録
国際会議録
1. Advanced Silicon Wafers for 0.18 μm Design Rule and Beyond: Epi and fFLASH!*
Schmolke, R. ; Blietz, M. ; Schauer, R. ; Zemke, D. ; Oelkrug, H. ; Ammon, W.v. ; Lambert, U. ; Grtlf, D.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.3-18,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
2.

国際会議録
国際会議録
2. The Impact of the Dwell Time Above 900℃ During Crystal Growth on the Gate Oxide Integrity of Silicon Wafers
Dornberger, E. ; von Ammon, W. ; Graef, D. ; Lambert, U. ; Miller, A. ; Oelkrug, H. ; Ehlert, A.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.140-150,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13