1.

国際会議録
国際会議録
1. Influence of Temperature on the Saturation of the Forward Voltage Drift in SiC Pin Diodes
J.D. Caldwell ; R. Stahlbush ; O. Glembocki ; K. Hobart
出版情報: State-of-the-art program on compound semiconductors 47 (SOTAPOCS 47) and wide-bandgap semiconductor materials and devices 8.  pp.239-245,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(5)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Approaches to Reduced-Defect Active Regions for III-N Devices
J. Culbertson ; C. R. Eddy ; M. Masiro ; N. Bassim ; M. Twigg ; R. Henry ; R. Hoim ; O. Glembocki ; J. D. Caidwell ; P. Neudeck ; A. Trunek ; J. Powell ; M. Peckerar ; Y. Ngu ; F. Yan ; S. Babu
出版情報: State-of-the-art program on compound semiconductors 45 (SOTAPOCS 45) and wide bandgap semiconductor materials and devices 7.  pp.117-126,  2006.  Pennington, N.J.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Improved GaN Homo-Junction, Ultraviolet, Light-Emitting Diodes Grown on Step- Free 4H-SiC Mesas
J. D. Caldwell ; M. Mastro ; K. D. Hobart ; O. Glembocki ; C. R. Eddy ; N. Bassim ; M. Tadjer ; A. Holm ; R. Henry ; M. Ywigg ; P. Neudeck ; A. Trunek ; J. Powell ; F. J. Kub
出版情報: State-of-the-art program on compound semiconductors 45 (SOTAPOCS 45) and wide bandgap semiconductor materials and devices 7.  pp.189-198,  2006.  Pennington, N.J.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(5)