1.

国際会議録
国際会議録
1. Modelling the Back-Gate Coupling effect in Triple-, Π- and Ω-Gate FETs
R. Rilzenthaler ; M. Gaillardin ; K. Akarvardar ; O. Faynot ; C. Jahan ; S. Cristoloveanu
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.89-94,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. High dose Implantation Impact on the Carrier Mobility in Ultra-Thin Unstrained and Strained SOI Films
C. Dupre ; P. Fazzini ; T. Ernst ; F. Cristiano ; J. Hartmann ; A. Claverie ; F. Andrieu ; O. Faynot ; P. Rivallin ; F. Laugier ; G. Ghibaudo ; S. Cristoloveanu ; S. Deleonibus
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.33-38,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Low Temperature Chatacterization of High-k Dielectric Metal Gate FD-SOI nMOSFETs
L. Zafari ; J. Jomaah ; G. Ghibaudo ; O. Faynot ; A. Vandooren
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.39-44,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)