1.

国際会議録
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1. Chemical Structures of Oxynitride/Si(100) Interface
Takahashi, K. ; Nohira, H. ; Kato, H. ; Tamura, N. ; Hikazutani, K. ; Sano, S. ; Hattori, T.
出版情報: The physics and chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface-4, 2000 : proceedings of the fourth International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Tronto, Canada, May 15-18, 2000.  pp.181-186,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-2
2.

国際会議録
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2. Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (0001) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements Using Synchrotron Radiation
Hijikata, Y. ; Yaguchi, H. ; Yoshida, S. ; Takata, Y. ; Kobayashi, K. ; Shin, S. ; Nohira, H. ; Hattori, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.585-588,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
3.

国際会議録
国際会議録
3. INTEGRATION ISSUES OF POLYSILICON WITH HIGH K DIELECTRICS DEPOSITED BY ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Tsai, W. ; Chen, I. ; Carter, R. ; Cartier, E. ; Kluth, J. ; Richard, O. ; Claes, M. ; Lin, Y.M. ; Nohira, H. ; Conard, T. ; Caymax, M. ; Young, E. ; Vandervorst, W. ; DeGendt, S. ; Heyns, M. ; Manabe, Y. ; Maes, J.W. ; Rittersma, Z.M. ; Besling, W. ; Roozeboom, F.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.747-760,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
4.

国際会議録
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4. Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces
Hijikata, Y. ; Yaguchi, H. ; Yoshida, S. ; Takata, Y. ; Kobayashi, K. ; Nohira, H. ; Hattori T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1003-1006,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
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5. Surface Morphology of Ultrathin Oxide Formed on Si(100)
Hattori, T. ; Fujimura, M. ; Nohira, H.
出版情報: Ultrathin SiO[2] and high-K materials for USLI gate dielectrics : symposium held April 5-8, 1999, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.163-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 567
6.

国際会議録
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6. Detection of interfaces states correlated with layer-by-layer oxidation on Si(100)
Hattori, T. ; Nohira, H. ; Teramoto, Y. ; Watanabe, N.
出版情報: Structure and electronic properties of ultrathin dielectric films on silicon and related structures : symposium held November 29-December 1, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.33-,  2000.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 592
7.

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7. INITIAL STAGE OF SiO2/Si INTERFACE FORMATION ON HYDROGEN-TERMINATED SILICON SURFACES
Hattori, T. ; Nohira, H. ; Ohishi, K. ; Shimizu, Y. ; Tamura, Y.
出版情報: Surface chemical cleaning and passivation for semiconductor processing.  pp.387-,  1993.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 315
8.

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8. Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators
Nohira, H. ; Tamura, N. ; Ushio, J. ; Hattori, T.
出版情報: Silicon nitride, silicon dioxide thin insulating films, and other emerging dieletrics VIII : proceedings of the international symposium.  pp.19-32,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-01
9.

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9. INTEGRATION ISSUES OF POLYSILICON WITH HIGH K DIELECTRICS DEPOSITED BY ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Tsai, W. ; Chen, I. ; Carter, R. ; Cartier, E. ; Kluth, J. ; Richard, O. ; Claes, M. ; Lin, Y.M. ; Nohira, H. ; Conard, T. ; Caymax, M. ; Young, E. ; Vandervorst, W. ; DeGendt, S. ; Heyns, M. ; Manabe, Y. ; Maes, J.W. ; Rittersma, Z.M. ; Besling, W. ; Roozeboom, F.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.747-760,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2