1.

国際会議録
国際会議録
1. Estimating proton induced SEU cross section of SOI CMOS SRAMS
Liu, S.T. ; Liu, H. ; Nelson, D.K. ; Flanery, M. ; Hughes, H.L.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.107-112,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
2.

国際会議録
国際会議録
2. Reflectance Spectroscopy of Excitonic States in GaN/6H-SiC
Jacobson, M.A. ; Nelson, D.K. ; Sel'kin, A.V.
出版情報: Proceedings of the Second Symposium on III-V Nitride Materials and Processes.  pp.103-109,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-34
3.

国際会議録
国際会議録
3. Influence of high excitation on excitonic states in GaN/AlGaN quantum wells
Nelson, D.K. ; Jacobson, M.A. ; Grandjean, N. ; Massies, J. ; Bigenwald, P. ; Kavokin, A.V.
出版情報: 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology.  pp.86-89,  2003.  Bellingham, Wash..  SPIE-The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 5023