1.

国際会議録
国際会議録
1. Kick-Out Phenomena in Epitaxially Boron- and Aluminum-Doped 4H-SiC during Implantation and Annealing Processes
Negoro, Y. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H. ; Pensl, G.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.843-846,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electrical Behavior of Implanted Aluminum and Boron near Tail Region in 4H-SiC after High-Temperature Annealing
Negoro, Y. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.617-620,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
3.

国際会議録
国際会議録
3. Technological Aspects of Ion Implantation in SiC Device Processes
Negoro, Y. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.599-604,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
4.

国際会議録
国際会議録
4. Reduction of On-Resistance in 4H-SiC Multi-RESURF MOSFETs
Noborio, M. ; Negoro, Y. ; Suda, J. ; Kimoto, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1305-1308,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
国際会議録
5. Epitaxial Growth and Characterization of 4H-SiC(11-20) and (03-38)
Kimoto, T. ; Hashimoto, K. ; Fujihira, K. ; Danno, K. ; Nakamura, S. ; Negoro, Y. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide 2002 -- materials, processing and devices : symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.3-14,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 742
6.

国際会議録
国際会議録
6. Phosphorus Ion Implantation into 4H-SiC (0001) and (11-20)
Negoro, Y. ; Miyamoto, N. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.783-786,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
7.

国際会議録
国際会議録
7. Aluminum-Ion Implantation into 4H-SiC (11-20) and (0001)
Negoro, Y. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide 2004--materials, processing and devices : symposium held April 14-15, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.217-222,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 815
8.

国際会議録
国際会議録
8. High-Voltage SiC pn Diodes with Avalanche Breakdown Fabricated by Aluminum or Boron Ion Implantation
Negoro, Y. ; Miyamoto, N. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1273-1276,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
9.

国際会議録
国際会議録
9. Recent Progress in SiC Epitaxial Growth and Device Processing Technology
Kimoto, T. ; Yano, H. ; Tamura, S. ; Miyamoto, N. ; Fujihira, K. ; Negoro, Y. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.543-548,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
10.

国際会議録
国際会議録
10. Flat Surface after High-Temperature Annealing for Phosphorus-Ion Implanted 4H-SiC(0001) using Graphite Cap
Negoro, Y. ; Katsumoto, K. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.933-936,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460