1.

国際会議録
国際会議録
1. Workfunction Tuning of Nickel Silicide by Varying Nickel and Silicon Composition
N. Biswas ; S. Novak ; B. Lee ; B. Chen ; V. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.295-304,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Enhanced Dielectric Constant of HfO₂ and Al₂O₃ Thin-Films with Silver Nanoparticles
K. Ravindran ; M. Othman ; M. Yun ; N. Biswas ; N. Mehta ; S. Guha ; K. Gangopadhyay ; S. Gangopadhyay
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.535-544,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
3.

国際会議録
国際会議録
3. On the Issue of Work Function Tuning of Nickel Suicide Gates
N. Biswas ; B. Lee ; V. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.317-332,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)