1.

国際会議録
国際会議録
1. ELECTRON MICROSCOPY AND SPECTROSCOPY OF VAPOR DEPOSITED DIAMOND
Disko, Mark M. ; Moustakas,T.D.
出版情報: Characterization of the structure and chemistry of defects in materials : symposium held November 28-December 3, 1988, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.261-266,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 138
2.

国際会議録
国際会議録
2. Native Paranragnetic Defects in Diamond Films
Fanciulli,M. ; Moustakas,T.D.
出版情報: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-17, Gmunden, Austria, July 18-23, 1993.  Pt.1  pp.35-40,  1994.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 143-147
3.

国際会議録
国際会議録
3. Group-III nitride VCSEL structures grown by molecular beam epitaxy
Ng,H.M. ; Moustakas,T.D.
出版情報: Physics and simulation of optoelectronic devices VIII : 24-28 January 2000, San Jose, USA.  Part1  pp.22-27,  2000.  Bellingham, Wash..  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3944
4.

国際会議録
国際会議録
4. GaN Schottky diode ultraviolet detectors grown by molecular beam epitaxy
Misra,M. ; Sampath,A.V. ; Iliopoulos,E. ; Moustakas,T.D.
出版情報: Photodetectors : materials and devices V : 26-28 January 2000, San Jose, California.  pp.342-349,  2000.  Bellingham, Wash., USA.  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3948
5.

国際会議録
国際会議録
5. GaN photodiodes grown by MBE on HVPE and ELO-HVPE GaN/sapphire substrates
Sampath,A.V. ; Iliopoulos,E. ; Seth,K. ; Fedyunin,Y. ; Misra,M. ; Ng,H.M. ; Lamarre,P. ; Feit,Z. ; Moustakas,T.D.
出版情報: Photodetectors : materials and devices V : 26-28 January 2000, San Jose, California.  pp.311-318,  2000.  Bellingham, Wash., USA.  SPIE - The International Society for Optical Engineering
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3948
6.

国際会議録
国際会議録
6. Free Electrons and Resonant Donor State in Gallium Nitride
Perlin,P. ; Suski,T. ; Teisseyre,H. ; Leszczynski,M. ; Grzegory,I. ; Jun,J. ; Bockowski,M. ; Porowski,S. ; Boguslawski,P. ; Bernholc,J. ; Moustakas,T.D.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.23-24,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201
7.

国際会議録
国際会議録
7. ll9Sn Mossbauer Study of Ion Implanted GaN
Fanciulli,M. ; Lindroos,M. ; Weyer,G. ; Moustakas,T.D.
出版情報: Proceedings of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors : ICDS-18, Sendai, Japan, July 23-28, 1995.  pp.61-66,  1995.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 196-201