1.

国際会議録
国際会議録
1. ASSESSMENT OF SURFACE DAMAGE OF GALLIUM ARSENIDE DUE TO REACTIVE ION ETCHING
Puttock, M. S. ; Thomas, H. ; Morgan, D. V. ; Rossow, U. ; Zahn, D. R. T. ; Richter, W. ; Hilton, K. P. ; Woodward, J.
出版情報: Plasma processing and synthesis of materials III : symposium held April 17-19, 1990, San Francisco, California, U.S.A..  pp.255-260,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 190
2.

国際会議録
国際会議録
2. Schottky contacts on annealed GaAs
Miles, R. E. ; Tasker, P. J. ; Morgan, D. V. ; Howes, M. J
出版情報: Interfaces and contacts : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.319-326,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 18