1.

国際会議録
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1. MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF VERY HIGH MOLECULAR BEAN EPITAXIAL GROWTH OF VERY HIGH Si/GeSi HETEROSTRUCTURES
Xie, Y.H. ; Fitzgerald, E.A. ; Mii, Y,J, ; Monroe, D. ; Thiel, F.A. ; Weir, B.E. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon molecular beam epitaxy : symposium held April 29-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.413-420,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 220
2.

国際会議録
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2. INVITED: 50 nm VERTICAL REPLACEMENT-GATE (VRG) nMOSFETS WITH ALD HfO2 GATE DIELECTRICS
Hergenrother, J.M. ; Nigani, T. ; Wilk, O.D. ; Klemens, F.P. ; Monroe, D. ; Sorsch, T.W. ; Busch, B. ; Green, M.L. ; Muller, D.A. ; Voyles, P.M. ; Grazul, J.L. ; Shero, E.J. ; Givens, M.E. ; Pomarede, C. ; Mazanecand, M. ; Werkhoven, C.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.929-942,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
3.

国際会議録
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3. INVITED: 50 nm VERTICAL REPLACEMENT-GATE (VRG) nMOSFETS WITH ALD HfO2 GATE DIELECTRICS
Hergenrother, J.M. ; Nigani, T. ; Wilk, O.D. ; Klemens, F.P. ; Monroe, D. ; Sorsch, T.W. ; Busch, B. ; Green, M.L. ; Muller, D.A. ; Voyles, P.M. ; Grazul, J.L. ; Shero, E.J. ; Givens, M.E. ; Pomarede, C. ; Werkhoven, M.Mazanecand C.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.929-942,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
4.

国際会議録
国際会議録
4. Physical and Electrical Properties of Ultra Thin (<2.0 nm) Rapid Thermal Oxynitrides
Monroe, D. ; Silverman, P.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies II : proceedings of the international symposium.  pp.163-170,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-9
5.

国際会議録
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5. The Vertical Replacement-Gate (VRG) MOSFET: A High-Performance, Vertical MOSFET with Lithography-Independent Critical Dimensions
Hergenrother, J.M. ; Oh, S.H. ; Nigam, T. ; Monroe, D. ; Klemens, F.P. ; Kornblit, A. ; Baumann, F.H. ; Grazul, J.L. ; Johnson, R.W. ; King, C.A. ; Kleiman, R.N.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies II : proceedings of the international symposium.  pp.381-392,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-9
6.

国際会議録
国際会議録
6. THICKNESS DEPENDENCE OF ELECTRICAL TRANSPORT IN BURIED CoSi2 FILMS FABRICATED BY ION BEAM SYNTHESIS
Radermacher, K. ; Jebasinski, R. ; Mantl, S. ; Monroe, D. ; White, A. E. ; Short, K. T.
出版情報: Silicides, germanides, and their interfaces : Symposium held November 29-December 2, 1993, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.209-,  1994.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 320
7.

国際会議録
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7. 1/f Noise in the Tunneling Current of Thin Gate Oxides
Alers, G. B. ; Monroe, D. ; Krisch, K. S. ; Weir, B. E. ; Chang, A. M.
出版情報: Materials reliability in microelectronics VI : symposium held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.311-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 428
8.

国際会議録
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8. Soft Breakdown in Ultrathin Oxides
Weir, B. E. ; Silverman, P. J. ; Alers, G. B. ; Monroe, D. ; Alam, M. A. ; Sorsch, T. W. ; Green, M. L. ; Timp, G. L. ; Ma, Y. ; Frei, M. ; Liu, C. T. ; Bude, J. D. ; Krisch, K. S.
出版情報: Ultrathin SiO[2] and high-K materials for USLI gate dielectrics : symposium held April 5-8, 1999, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.301-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 567