1.

国際会議録
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1. GaN Power Devices
Pearton, S.J. ; Ren, F. ; Zhang, A.P. ; Dang, G. ; Cac, X.A. ; Lee, K.P. ; Cho, H. ; Gila, B.P. ; Johnson, J.W. ; Monier, C. ; Abernathy, C.R. ; Han, J. ; Baca, A.G. ; Chyi, J.-I. ; Lee, C.-M. ; Nee, T.-E. ; Chuo, C.-C. ; Chi, G.C. ; Chu, S.N.G.
出版情報: High Speed Compound Semiconductor Devices for Wireless Applications and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (XXXIII) : proceedings of the International Symposium.  pp.99-113,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-18
2.

国際会議録
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2. AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistor: Limiting Factors and Optimum Design for High Frequency Performances
Monier, C. ; Baca, A.G. ; Pearton, S.J. ; Ren, F. ; Chang, P.C. ; Zhang, L. ; LaRoche, J.R. ; Han, J. ; Shut, R.J.
出版情報: Compound semiconductor power transistors II : proceedings of the second international symposium and state-of-the-art program on compound semiconductors (SOTAPOCS XXXII) : proceedings of the thirty-second international symposium.  pp.34-42,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-1
3.

国際会議録
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3. Indium Phosphide (InP) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Passivation with Bisbenocyclyrobutene (BCB)
Dang, L. ; Kaneshiro, E. ; Wang, J. ; Monier, C. ; Eldredge, J. ; Sato, K. ; Chang, P. C. ; Sawdai, D. ; Bhorania, R. ; Gutierrez-Aitken, A. ; Goosrky, M.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.103-110,  2004.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-02
4.

国際会議録
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4. High Indium Content InAlAs/InGaAs HBT Technology for Low-Power High-Speed Applications
Monier, C. ; Cavus, A. ; Sandhu, R. S. ; Lange, M. D. ; Chang, P. C. ; Sawdai, D. J. ; Gambin, V. F. ; Gutierrez-Aitken, A. L.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.46-53,  2004.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-02
5.

国際会議録
国際会議録
5. Design Investigation of InGaAsN-based Pnp Heteroj unction Bipolar Transistors *
Monier, C. ; Chang, P.C. ; Baca, A.G. ; Li, N.Y. ; Larache, J.R. ; Hou, H.Q. ; Ren, F. ; Pearton, S.J.
出版情報: III-Nitride Based Semiconductor Electronics and Optical Devices and thirty-fourth State-of-the-Art-Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXIV) : proceedings of the International Symposia.  pp.293-299,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-1
6.

国際会議録
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6. Orientation and Dielectric Overlayer Effects in InGaP/GaAs HBTs *
Baca, A.G. ; Monier, C. ; Chang, P.C. ; Armendariz, M.G. ; Briggs, R.D. ; Pearton, S.J.
出版情報: III-Nitride Based Semiconductor Electronics and Optical Devices and thirty-fourth State-of-the-Art-Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXIV) : proceedings of the International Symposia.  pp.300-304,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-1
7.

国際会議録
国際会議録
7. BCB Deep Via Etching Process on ICP Etching System
Wang, J.J. ; Zeng, X. ; Li, D. ; Monier, C. ; Chang, P.C. ; Barsky, M. ; Gutierrez-Aitken, A.
出版情報: State-of-the-art program on compound semiconductors (SOTAPOCS XLII) and processes at the compound-semiconductor/solution interface : proceedings of the international symposia.  pp.350-353,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-04
8.

国際会議録
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8. Recent Progress on InP HBT Technology and Applications
Gutierrez-Aitken, A. ; Sawdai, D. ; Chang, P. ; Monier, C. ; V. Gambin, A. ; Barsky, Cavus.M. ; Oyama, B. ; Matsui, J. ; Tsai, K. ; Chan, B. ; Oki, A. K.
出版情報: State-of-the-art program on compound semiconductors XLI and nitride and wide bandgap semiconductors for sensors, photonics, and electronics V : proceedings of the international symposia.  pp.1-11,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-06
9.

国際会議録
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9. GaN pnp Bipolar Junction Transistors Operated To 250℃
Zhang, A.P. ; Dang, G. ; Ren, F. ; Han, J. ; Monier, C. ; Baca, A.G. ; Cao, X.A. ; Cho, H. ; Abernathy, C.R. ; Pearton, S.J.
出版情報: Wide-bandgap electronic devices.  pp.T3.2-,  2001.  Warrendale, PA..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 622
10.

国際会議録
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10. Current Gain Simulation Of Npn AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors
Monier, C. ; Pearton, S.J. ; Baca, Albert G. ; Chang, P.C. ; Zhang, L. ; Han, J. ; Shul, R.J. ; Ren, F. ; LaRoche, J.
出版情報: Wide-bandgap electronic devices.  pp.T3.3-,  2001.  Warrendale, PA..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 622