1.

国際会議録
国際会議録
1. The Profile Control of n-type Doping in Low and High Temperature Si Epitaxy for High Frequency Bipolar Transistors
Radamson, H.H. ; Mohadjeri, B. ; Malm, B.G. ; Grahn, J.V. ; Oestling, M. ; Landgren, G.
出版情報: CVD XV, proceedings of the fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.427-434,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-13
2.

国際会議録
国際会議録
2. PHASE TRANSFORMATIONS IN a-Si/Ni/c-Si STRUCTURES WITH DIFFERENT INTERFACIAL Ni LAYER THICKNESSES
Kuznetsov, A. Yu. ; Khodos, I. I. ; Linnros, J. ; Mohadjeri, B. ; Monakhov, E. V. ; Svensson, B. G.
出版情報: Evolution of thin film and surface structure and morphology : symposium held November 28-December 2, 1994, Boston, Massachusetts, USA.  pp.427-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 355
3.

国際会議録
国際会議録
3. ACTIVATION OF Sb IN ULTRA-SHALLOW POLY-SILICON EMITTERS USING RAPID THERMAL PROCESSING
Grelsson, O ; Soderbarg, A. ; Magnusson, U. ; Olsson, J. ; Mohadjeri, B.
出版情報: Rapid thermal and integrated processing : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.317-322,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 224
4.

国際会議録
国際会議録
4. FORMATION OF NICKEL SILICIDES ON ION-AMORPHIZED SILICON
Mohadjeri, B. ; Linnros, J. ; Svensson, B. G. ; Ostling M, ; Johansson, S. ; d'Heurle, F. M.
出版情報: Advanced metallization and processing for semiconductor devices and circuits--II : symposium held April 27-May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.405-410,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 260