1.

国際会議録
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1. Formation of Alkali- and Si-Endohedral Fullerenes Based on Plasma Technology.
Hatakeyama, R. ; Hirata, T. ; Sato, N. ; Mieno, T. ; Sato, N.Y. ; Oku, T. ; Mase, H. ; Niwano, M. ; Miyamoto, N.
出版情報: Fullerenes : fullerenes for the new millennium : proceedings of the International Symposium on Fullerenes, Nanotubes, and Carbon Nanoclusters.  pp.341-348,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-11
2.

国際会議録
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2. Preparation and Noise Properties of Perpendicular/Longitudinal Composite Media prepared by Electroless-Depositioned Method
Oncue, T. ; Miyamoto, N. ; Hokkyo, J. ; Homma, T. ; Osaka, T.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Sympposium on Magnetic Materials, Processes, and Devices : applications to storage and microelectromechanical systems (MEMS).  pp.231-241,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-20
3.

国際会議録
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3. CHARACTERISTICS AND RELIABILITY OF AMORPHOUS SILICON PHOTOCONDUCTOR DRUMS FOR PPC OR LBP
Itoh, H. ; Takemura, H. ; Sasaki, T. ; Miyamoto, N. ; Higuchi, H. ; Ishibitsu, K. ; Kawamura, T.
出版情報: Amorphous silicon technology : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.417-422,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 118
4.

国際会議録
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4. Phosphorus Ion Implantation into 4H-SiC (0001) and (11-20)
Negoro, Y. ; Miyamoto, N. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.783-786,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
5.

国際会議録
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5. Surface Reaction Kintetics in Synchrotron Radiation Assisted Chemical Vapor Deposition of Si with SiH2Cl2
Sakamoto, H. ; Takakuwa, Y. ; Enta, Y. ; Hori, T. ; Miyamoto, N. ; Kato, H.
出版情報: Proceedings of the Twelfth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.27-33,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-2
6.

国際会議録
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6. Deep Level Investigation of pn-Junctions formed by MeV Aluminum and Boron Implantation into 4H-SiC
Schoener, A. ; Miyamoto, N. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.451-454,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
7.

国際会議録
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7. High-Voltage SiC pn Diodes with Avalanche Breakdown Fabricated by Aluminum or Boron Ion Implantation
Negoro, Y. ; Miyamoto, N. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1273-1276,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
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8. Formation of Deep pn Junctions by MeV Al- and B-Ion Implantations into 4H-SiC and Reverse Characteristics
Miyamoto, N. ; Saitoh, A. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H. ; Hishida, Y. ; Watanabe, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1347-1350,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
9.

国際会議録
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9. Recent Progress in SiC Epitaxial Growth and Device Processing Technology
Kimoto, T. ; Yano, H. ; Tamura, S. ; Miyamoto, N. ; Fujihira, K. ; Negoro, Y. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.543-548,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
10.

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10. High-Voltage SiC pn Diodes with Avalanche Breakdown Fabricated by Aluminum or Boron Ion Implantation
Negoro, Y. ; Miyamoto, N. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1273-1276,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393