1.

国際会議録
国際会議録
1. Shallow Junction Formation by Low Energy Implant and High Ramp-Up Rate RTA Process
Shishiguchi, S. ; Mineji, A. ; Maisuda, T.Y. ; Kitajima, H.
出版情報: Advances in rapid thermal processing : proceedings of the symposium.  pp.105-116,  1999.  Pennington, N. J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-10
2.

国際会議録
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2. Ultra-Low Thermal Budget CMOS Process for 65 nm-node Low-Operation-Power Applications (Invited paper)
Ootsuka, F. ; Mineji, A. ; Yamashita, K. ; Yasuhira, M. ; Arikado, T.
出版情報: ULSI Process Integration : proceedings of the International Symposium.  pp.111-117,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-06
3.

国際会議録
国際会議録
3. Ultra Shallow Junction Formation by RTA at High Temperature for Short Heating Cycle Time
Saito, S. ; Shishiguchi, S. ; Mineji, A. ; Matsuda, T.
出版情報: Silicon front-end technology--materials processing and modelling, symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.3-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 532
4.

国際会議録
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4. Investigation of Lateral and Vertical Profiles Enhanced by Implantation
Mineji, A. ; Hamada, K. ; Saito, S.
出版情報: Ion-solid interactions for materials modification and processing : symposium held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.751-,  1996.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 396