1.

国際会議録
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1. Profile Simulation Studies Of Oxide Deposition From Ozone/TEOS
Li, J. ; McVittie, J.P. ; Ferziger, J. ; Saraswat, K.C. ; Schmidt, M. ; Dobkin, D.
出版情報: Proceedings of the third Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films.  pp.570-580,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-16
2.

国際会議録
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2. MODELING OF PROFILE EVOLUTION IN DIAMOND CVD
IslamRaja, M.M. ; Cappelli, M.A. ; McVittie, J.P. ; Saraswat, K.C.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Diamond Materials.  pp.276-282,  1993.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-17
3.

国際会議録
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3. Process Dependence of Notching: Simulation of Topography De- pendent Charging with Sheath Oscillation Effect
Kinoshita, T. ; Hane, M. ; McVittie, J.P.
出版情報: Proceedings of the eleventh International Symposium on Plasma Processing.  pp.49-60,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-12
4.

国際会議録
国際会議録
4. Characterization of Damage Reduction Effect from Dielectric Protective Layer by a Real-Time Plasma Charging Probe
Ma, S. ; McVittie, J.P.
出版情報: Proceedings of the eleventh International Symposium on Plasma Processing.  pp.185-195,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-12
5.

国際会議録
国際会議録
5. CHARGING EFFECTS ON ION TRAJECTORIES IN PLASMA ETCHING
Murakawa, S. ; Fang, S. ; McVittie, J.P.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.483-490,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-6
6.

国際会議録
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6. PROFILE MODELING OF PHYSICAL VAPOR DEPOSITIN OF Ti AND Wsi
Eguchi, Y. ; IslamRaja, M.M. ; McVittie, J.P. ; Saraswat, K.C.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.301-309,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-6
7.

国際会議録
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7. *FACTORS AFFECTING CHARGING DAMAGE DURING PLASMA ETCHING
McVittie, J.P.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Contamination Control and Defect Reduction in Semiconductor Manufacturing III.  pp.59-70,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-9
8.

国際会議録
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8. A NEW METHOD FOR ANALYZING THIN SIDEWALL INHIBITOR LAYERS
McVittie, J.P. ; Lin, T.A. ; Bariya, A.J.
出版情報: Photon, beam, and plasma stimulated chemical processes at surfaces : symposium held December 1-4, 1986, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.499-508,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 75
9.

国際会議録
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9. Ion Heating in the Pre-Sheath of a Capacitively Coupled RF Discharge
Brinkmann, R.P. ; Hsiau, K. ; Zheng, J. ; McVittie, J.P.
出版情報: Proceedings of the tenth symposium on plasma processing.  pp.46-53,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-20
10.

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10. Comparison of Automated Capacitor Testing Methods for Plasma Charging Induced Damage
Abdel-Ati, W.L.N. ; Ma, S. ; Yang, T.-C. ; McVittie, J.P. ; Saraswat, K.C.
出版情報: ULSI science and technology, 1995 : proceedings of the Fifth International Symposium on Ultra Large Scale Integration Science and Technology.  pp.410-417,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-5