1.

国際会議録
国際会議録
1. Si/SiO2 and SiC/SiO2 Interfaces for MOSFETs - Challenges and Advances
Pantelides, S.T. ; Wang, S. ; Franceschetti, A. ; Buczko, R. ; Di Ventra, M. ; Rashkeev, S.N. ; Tsetseris, L. ; Evans, M.H. ; Batyrev, I.G. ; Feldman, L.C. ; Dhar, S. ; McDonald, K. ; Weller, R.A. ; Schrimpf, R.D. ; Fleetwood, D.M.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.935-948,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Compositional and Electrical Differences of SiO2/SiC and SiO2/Si Structures Upon Thermal Annealing in N2O and NO
Stedile, F.C. ; Radtke, C. ; Baumvol, I.J.R. ; Boudinov, H. ; McDonald, K. ; Huang, M.B. ; Weller, R.A. ; Feldman, L.C. ; Williams, J.R.
出版情報: The physics and chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface-4, 2000 : proceedings of the fourth International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Tronto, Canada, May 15-18, 2000.  pp.169-180,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-2
3.

国際会議録
国際会議録
3. Nitrogen Content and Interface Trap Reduction in SiO2/4H-SiC
McDonald, K. ; Weller, R.A. ; Pantelides, S.T. ; Feldman, L.C. ; Chung, G.Y ; Tin, C.C. ; Williams, J.R.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.341-347,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
4.

国際会議録
国際会議録
4. Passivation of the 4H-SiC/SiO2 Interface with Nitric Oxide
Williams, J.R. ; Chung, G.Y. ; Tin, C.C. ; McDonald, K. ; Farmer, D. ; Chanana, R.K. ; Weller, R.A. ; Pantelides, S.T. ; Holland, O.W. ; Das, M.K. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.967-972,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
5.

国際会議録
国際会議録
5. Effect of Process Variations on 4H Silicon Carbide n-Channel MOSFET Mobilities
Lu, C.-Y. ; Cooper, J.A., Jr. ; Chung, G.Y. ; Williams, J.R. ; McDonald, K. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.977-980,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
6.

国際会議録
国際会議録
6. Industrial Application of Nonlinear PLS for Sensor Validation using a Wavelet Neural Network
Wong, J. ; Hayden, N. ; Doymaz, F. ; Wada, T. ; McDonald, K. ; Palazoglu, A.
出版情報: AIChE ANNUAL MEETING - NOVEMBER 16-21, 1997 - LOS ANGELES, CA.  1997.  New York.  American Institute of Chemical Engineers
シリーズ名: AIChE meeting [papers]
シリーズ巻号: 1997
7.

国際会議録
国際会議録
7. Passivation of the 4H-SiC/SiO2 Interface with Nitric Oxide
Williams, J.R. ; Chung, G.Y. ; Tin, C.C. ; McDonald, K. ; Farmer, D. ; Chanana, R.K. ; Weller, R.A. ; Pantelides, S.T. ; Holland, O.W. ; Das, M.K. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.967-972,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
国際会議録
8. Effect of Process Variations on 4H Silicon Carbide n-Channel MOSFET Mobilities
Lu, C.-Y. ; Cooper, J.A., Jr. ; Chung, G.Y. ; Williams, J.R. ; McDonald, K. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.977-980,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
9.

国際会議録
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9. Bonding, Defects, and Defect Dynamics in the SiC-SiO2 System
Pantelides, S.T. ; Buczko, R. ; Ventra, M. Di ; Wang, S. ; Kim, S.-G. ; Pennycook, S.J. ; Duscher, G. ; Feldman, L.C. ; McDonald, K. ; Chanana, R.K. ; Weller, R.A. ; Williams, J.R. ; Chung, G.Y. ; Tin, C.C. ; Isaacs-Smith, T.
出版情報: Silicon carbide--materials, processing and devices : symposium held November 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 640
10.

国際会議録
国際会議録
10. Nitrogen Passivation of the Interface States Near the Conduction Band Edge in 4H-Silicon Carbide
Williams, J.R. ; Chung, G.Y. ; Tin, C.C. ; McDonald, K. ; Farmer, D. ; Chanana, R.K. ; Weller, R.A. ; Pantelides, S.T. ; Holland, O.W. ; Das, M.K. ; Lipkin, L.A. ; Feldman, L.C.
出版情報: Silicon carbide--materials, processing and devices : symposium held November 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 640