1.

国際会議録
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1. REDUCTION OF THE DEFECT DENSITY IN a-Si:H DEPOSITED AT -250°C
Nishio, H. ; Ganguly, G. ; Matsuda, A.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1993 : Symposium held April 13-16, San Francisco, California, U.S.A..  pp.91-96,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 297
2.

国際会議録
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2. DEPENDENCE OF STEADY-STATE DEFECT DENSITY IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON ON CARRIER GENERATION RATE STUDIED OVER A WIDE RANGE
Hata, N. ; Ganguly, G. ; Matsuda, A.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1993 : Symposium held April 13-16, San Francisco, California, U.S.A..  pp.577-582,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 297
3.

国際会議録
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3. TRANSPARENT, INORGANIC-ORGANIC THICK FILMS BY ELECTROPHORETIC SOL-GEL DEPOSITION USING POLYSILSESQUIOXANE PARTICLES
Matsuda, A. ; Tadanaga, K. ; Minanii, T. ; Tatsumisago, M.
出版情報: Electrophoretic deposition: fundamentals and applications : proceedings of the international symposium.  pp.287-294,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-21
4.

国際会議録
国際会議録
4. The Relationship between the Absolute Acidities of Monoatomic Cations and their Catalytic Activities in a Few Heterogeneous Systems
Notoya, R. ; Matsuda, A.
出版情報: Acid-base catalysis II : proceedings of the International Symposium on Acid-Base Catalysis II, Sapporo, December 2-4, 1993.  pp.491-,  1994.  Tokyo.  Elsevier
シリーズ名: Studies in surface science and catalysis
シリーズ巻号: 90
5.

国際会議録
国際会議録
5. CONTROL OF PHOTO-INDUCED DEGRADATION IN a-Si:H PREPARED FROM Xe-DILUTED SILANE
Mashima, S. ; Hasezaki, K. ; Suzuki, A. ; McElheny P.J. ; Matsuda, A.
出版情報: Amorphous silicon technology 1991 : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.3-14,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 219
6.

国際会議録
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6. A DEFECT DENSITY OF - 1014 cm-3 IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DEPOSITED AT HIGH SUBSTRATE TEMPERATURES
Ganguly, G. ; Matsuda, A.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1992.  pp.39-44,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 258
7.

国際会議録
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7. DEPOSITION KINETICS AND STRUCTURAL CONTROL OF HIGHLY PHOTOSENSITIVE a-SiGe:H ALLOYS
Tanaka, K. ; Matsuda, A.
出版情報: Materials issues in amorphous-semiconductor technology : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.245-256,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 70
8.

国際会議録
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8. *ROLE OF SURFACE AND GROWTH-ZONE REACTIONS IN THE FORMATION PROCESS OF μc-Si:H
Matsuda, A. ; Goto, T.
出版情報: Materials issues in microcrystalline semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.3-14,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 164
9.

国際会議録
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9. STM Observation on the Initial Growth of Amorphous and Microcrystalline Silicon Films
Ikuta, K. ; Toyoshima, Y. ; Yamasaki, S. ; Matsuda, A. ; Tanaka, K.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1996 : symposium held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.413-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 420
10.

国際会議録
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10. Light-Induced Degradation Effects in a-Si:H Observed by Raman Scattering Measurements
Stradins, P. ; Kondo, M. ; Hata, N. ; Matsuda, A.
出版情報: Amorphous and microcrystalline silicon technology - 1998 : symposium held April 14-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.723-,  1999.  Warrendale.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 507