1.

国際会議録
国際会議録
1. Extraction of the Oxide Charges at the Buried Oxide/Silicon Substrate Interface in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs at Low Temperatures
Pavanello, M A ; Martino, J A
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.201-206,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3
2.

国際会議録
国際会議録
2. Extraction of the interface and oxide charge density in SOI MOSFETs
Simoen, E ; Claeys, C ; Lukyanchikotva, N ; Petrichuk, M ; Garbar, N ; Martino, J A ; Sonnenberg, V
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.309-317,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-3
3.

国際会議録
国際会議録
3. Study of the Leakage Drain Current Components in Accumulation-Mode SOT pMOSFETs at High-Temperatures
Bellodi, M ; Martino, J A
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.287-292,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3