1.

国際会議録
国際会議録
1. DEFECT REDUCTION AND DEFECT ENGINEERING IN SILICON-ON-SAPPHIRE MATERIAL USING Ge IMPLANTATION
Namavar, F. ; Cortesi, E. ; Kalkhoran, N.M. ; Manke, J.M. ; Buchanan, B.L.
出版情報: Surface chemistry and beam-solid interactions : symposium held November 26-29, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.337-344,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 201
2.

国際会議録
国際会議録
2. GROWTH OF Si1-xGex STRAINED LAYERS USING ATMOSPHERIC-PRESSURE CVD
Namavar, F. ; Manke, J.M. ; Kvam, E.P. ; Sanfacon, M.M. ; Perry, C.H. ; Kalkhoran, N.M.
出版情報: Silicon molecular beam epitaxy : symposium held April 29-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.285-290,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 220