1.

国際会議録
国際会議録
1. Comprehensive reactor-scale modeling of III-V ternary compound growth by MOVPE
Yakovlev, E. V. ; Talalaev, R. A. ; Karpov, S. Yu. ; Shpolyanskiy, Yu. A. ; Makarov, Yu. N. ; Lowry, S. A.
出版情報: New methods, mechanisms and models of vapor deposition : symposium held April 24-26, 2000, San Francisco, California, U.S.A..  pp.153-,  2000.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 616
2.

国際会議録
国際会議録
2. Modelling Analysis of Oxygen Transport During Czochralski Growth of Silicon Crystals
Egorov, Yu. E. ; Makarov, Yu. N. ; Rudinsky, E. A. ; Smirnov, E. M. ; Zhmakin, A. I.
出版情報: Semiconductor process and device performance modeling : symposium held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.181-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 490
3.

国際会議録
国際会議録
3. Sublimation Sandwich Growth of Freestanding GaN Crystals
Vodakov, Yu. A. ; Mokhov, E. N. ; Ramm, M. G. ; Ramm, M. S. ; Roenkov, A. D. ; Ostroumov, A. G. ; Wolfson, A. A. ; Karpov, S. Yu. ; Makarov, Yu. N. ; Jurgensen, H.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.27-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
4.

国際会議録
国際会議録
4. MODELING OF SiGe EPITAXIAL GROWTH IN A WIDE RANGE OF GROWTH CONDITIONS
Segal, A. ; Sid'ko, A.P. ; Karpov, S.Yu. ; Makarov, Yu. N.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.567-577,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2