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検索結果: 3 件

国際会議録

1. Reliability of Ti-based Gate Dielectrics on strained-Si_0.91Ge_0.09 and Ge under Dynamic and AC Stressing

C. Mahata ; M.K. Bera ; P. Bose ; C.K. Maiti

出版情報:	SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices. pp.223-227, 2008. Pennington, NJ. Electrochemical Society
シリーズ名:	ECS transactions
シリーズ巻号:	16(10)

国際会議録

2. Dielectric Relaxation and Defect Generation Under Pulsed and Constant Voltage Stressing of Ultrathin TiO₂ Films on Strained-Si/Si_0.8Ge_0.2

M.K. Bera ; S. Saha ; C.K. Maiti

出版情報:	SiGe and Ge, materials, processing, and devices. pp.1229-1240, 2006. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:	ECS transactions
シリーズ巻号:	3(7)

国際会議録

3. Modeling of Lossy MOS Capacitors on Ge-Rich Si_0.15Ge_0.85 Substrates

M.K. Bera ; R. Das ; S. Chakraborty ; S. Saha ; C.K. Maiti

出版情報:	SiGe and Ge, materials, processing, and devices. pp.291-297, 2006. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:	ECS transactions
シリーズ巻号:	3(7)